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    新聞中心

    功率半導體用SiC外延晶圓6英寸品在日本的“半導體 of the Year 2014”中榮獲最高獎

    2014年06月11日

     

    昭和電工株式會社(社長:市川 秀夫)的功率半導體材料6英寸碳化硅(SiC)外延晶圓(以下簡稱“SiC外延晶圓”)在由日本半導體產業報刊主辦的“半導體 of the Year 2014”半導體電子材料部門中榮獲了最高獎。

    本獎項是在半導體設備、半導體制造裝置、半導體用電子材料三個部門,以開發的新穎性、量產體制的構建、對社會的影響、將來性等為標準,從20134月至20143月間發表的半導體相關產品中分別選定了最高獎1項和優秀獎2項。

    SiC外延晶圓的功率半導體具有優良的耐高溫性,耐電壓性的特點,也能大幅度地削減因熱導致的電力損失。由于與電力控制用組件的小型化、節能化關聯,因此已正在推進數據中心的服務器電源和新能源的分散型電源、地鐵車輛上的裝載。本公司的6英寸SiC外延晶圓抑制結晶缺陷可達到4英寸傳統產品的同等水平,并在品質與成本兩方面上均確保用于車載用逆變器的大電流容量SiC設備上的必要性能。

    2020年前后開始面向混合動力車和電動汽車的SiC功率半導體的需求增加也令人期待。本公司將一如既往地致力于SiC外延晶圓的進一步品質提升和生產能力增強,為SiC功率半導體的普及做貢獻。

     

     

     

    6英寸品 SiC外延晶圓】

     

     

    獲獎的事業開發中心 功率半導體項目組

     

     

    ※ 本特刊內容轉載自本社的《News Release》。    

     

    以上

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